Beschreibung
Infineon sucht eine:n Leitende:n Principal Engineer für Geräteentwicklung RF-GaN, um RF-GaN/Si-Bauelementtechnologien für HF-Leistungsanwendungen vom Prozesskonzept bis zur Produktionsübergabe zu entwickeln und voranzutreiben. Die Tätigkeit umfasst die Umsetzung neuartiger Bauelement- und Prozesskonzepte, die Optimierung von Leistung und Zuverlässigkeit, die Entwicklung von Charakterisierungsmethoden, die Abstimmung mit Projektmanagement, Prozessentwicklung, Charakterisierung, Produktdesign und Kunden sowie die Zusammenarbeit in einem internationalen Umfeld mit mehreren Standorten. Bewerber:innen benötigen einen Masterabschluss oder eine Promotion in Mikroelektronik, Elektrotechnik oder Physik, mehr als 10 Jahre Erfahrung in der Entwicklung von GaN-Bauelementtechnologien, fundierte Kenntnisse in Halbleiterphysik und -technologie sowie fließende Englischkenntnisse in Wort und Schrift.
