Beschreibung
Infineon sucht einen Staff Engineer für die Entwicklung der GaN-Technologie, um GaN-Technologieknoten voranzutreiben und nächste Generationen von GaN-Leistungsplattformen zu entwickeln. Die Rolle verantwortet Prozessbausteine durchgängig – einschließlich Machbarkeits-/Proof-of-Concept-Phase, Optimierung, Stabilität sowie Verbesserungen bei Leistungseigenschaften. Sie definiert den „Process of Record“, plant und führt DOE-Experimente (Design of Experiments) durch, erstellt statistische Auswertungen und unterstützt Ursachenanalysen (Root-Cause-Investigations). Voraussetzungen sind ein technisches Hochschulstudium in einem relevanten Fachbereich, mindestens drei Jahre einschlägige Berufserfahrung, Kenntnisse in der Physik von Halbleiterbauelementen, Erfahrung mit DOE und statistischer Analyse sowie fließende Englischkenntnisse.
