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L’ingénieur procédés – MOCVD travaillera à l’intersection de la recherche et de la fabrication afin de développer et d’optimiser des structures de lasers à semi-conducteurs III-V. Ses responsabilités comprennent la planification de la croissance épitaxiale de structures de diodes laser à base de GaAs et d’InP, la coordination de la caractérisation des matériaux, l’amélioration du rendement et de la qualité des produits, la qualification de nouveaux équipements et de solutions de fabrication, le dépannage des procédés et la fourniture d’une assistance sur appel. Le poste exige une maîtrise ou un doctorat dans un domaine technique pertinent ainsi qu’une expérience pratique en MOCVD ; une expérience des lasers à semi-conducteurs, de la physique des lasers, de la technologie du vide, de la caractérisation et de la programmation, ainsi que la capacité de communiquer en allemand et en anglais, sont souhaitées.
