Descrizione
Micron Technology, Inc. assume un Ingegnere Senior di analisi dei guasti elettrici (EFA) per memorie ad alta larghezza di banda (HBM) nel team Global Quality DRAM/Emerging Memory Quality and Reliability Assurance. Il ruolo prevede la caratterizzazione elettrica e l’analisi dei guasti dei prodotti HBM, la distinzione tra guasti relativi al package e guasti relativi al dispositivo, l’uso di strumenti di test per semiconduttori e di layout, la documentazione e la categorizzazione dei guasti, il coordinamento con i gruppi di affidabilità e ingegneria di prodotto, il supporto alle apparecchiature e alla formazione degli utenti e l’applicazione dell’IA per migliorare i flussi di lavoro di analisi dei guasti. La posizione richiede una laurea triennale in ingegneria elettrica, elettronica o informatica, almeno cinque anni di esperienza nel settore dei semiconduttori e conoscenze di DRAM, fabbricazione, fisica dei dispositivi e analisi dei guasti.
