Description
Stage de recherche en physique des semi-conducteurs et ingénierie des mémoires non volatiles chez STMicroelectronics, mené en partenariat avec le laboratoire IM2NP de Marseille et un client final. Le travail consiste à investiguer de nouvelles cellules EEPROM verticales intégrées en tranchées, notamment à grille flottante et de type SONOS, à étudier les mécanismes de programmation et d’effacement Fowler–Nordheim et HCI, et à réaliser des expériences de procédés avancés, des simulations TCAD, des caractérisations électriques et des études de fiabilité pour des nœuds technologiques de 90 nm à 28 nm.
